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本文摘要：近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在传感器晶圆级键通PCB技术研发领域获得新进展，其针对三轴加速度传感器所研发的8英寸Al-Ge共晶圆片级PCB技术（WLP）以及设施的减薄和划片技术已通过质量体系考核，使用该系列技术的T4型三轴加速度产品已上市销售。 MEMS器件与传统IC器件比起，往往具备薄弱的铰链结构，因此必须在MEMS器件划片与测试前将其维护一起。
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在传感器晶圆级键通PCB技术研发领域获得新进展，其针对三轴加速度传感器所研发的8英寸Al-Ge共晶圆片级PCB技术（WLP）以及设施的减薄和划片技术已通过质量体系考核，使用该系列技术的T4型三轴加速度产品已上市销售。 MEMS器件与传统IC器件比起，往往具备薄弱的铰链结构，因此必须在MEMS器件划片与测试前将其维护一起。WLP技术在大大降低器件尺寸与成本的同时，还可有效地提升器件生产良率与可靠性，因此针对MEMS器件的WLP技术已沦为科技界与工业界的注目热点。MEMS器件的WLP技术不仅必须获取必须的焊盘引向外，还要担负起为器件可一动结构获取必要的气密或真空等工作环境的任务，因此比较传统IC，MEMS对WLP技术明确提出更高的技术挑战。
集成电路先导工艺研发中心与国内公司联合创建了微电子所晶圆键合牵头实验室，致力于MEMS器件的晶圆级键通PCB技术的研发。该实验室研发的第一套Al-Ge晶圆键合PCB技术的键合环宽度仅有70um，其键通强度已多达70MPa、漏率大于5.0x10-3Pacm3/s（图1和图2分别为划片前的晶圆照片和切割成后的产品照片），该产品FT成品率（如图3右图）高于97%，与国际著名半导体代工厂所生产的同类产品指标非常，超过国际一流水平。
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